1 重庆大学 物理学院应用物理系, 重庆 400044
2 重庆光电技术研究所,重庆 400060
对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。
双沟平面掩埋异质结 液相外延 漏电流 DCPBH LPE current leakage
Dept. of Electron. Sci. & Eng., Huazhong University of Sci. & Tech., Wuhan 430074, CHN
Ar/CF 4 plasma ITO Reactive Ion Etching TFT-AMLCD
Dept. of S. S. Electron., Huazhong University of Sci. and Tech., Wuhan 430074, CHN
Conductivity Energy Band Diagram Nanocrystalline Silicon Film
Huazhong University of Science and Technolopy, Wuhan 430074, CHN
Amorphous Semiconductor Photodetector Semiconductor Technology