段利华 1,2,*方亮 1周勇 2周雪梅 2[ ... ]黄茂 2
作者单位
摘要
1 重庆大学 物理学院应用物理系, 重庆 400044
2 重庆光电技术研究所,重庆 400060
对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。
双沟平面掩埋异质结 液相外延 漏电流 DCPBH LPE current leakage 
半导体光电
2012, 33(3): 342
作者单位
摘要
Dept. of Electron. Sci. & Eng., Huazhong University of Sci. & Tech., Wuhan 430074, CHN
Ar/CF 4 plasma ITO Reactive Ion Etching TFT-AMLCD 
半导体光子学与技术
1998, 4(3): 188
作者单位
摘要
Dept. of S. S. Electron., Huazhong University of Sci. and Tech., Wuhan 430074, CHN
Conductivity Energy Band Diagram Nanocrystalline Silicon Film 
半导体光子学与技术
1998, 4(2): 84
作者单位
摘要
Huazhong University of Science and Technolopy, Wuhan 430074, CHN
Amorphous Semiconductor Photodetector Semiconductor Technology 
半导体光子学与技术
1997, 3(1): 20

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